Alphalas光電探測(cè)器的基本工作機(jī)理包括三個(gè)過(guò)程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。當(dāng)表面有光照射時(shí)，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價(jià)帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流。
 

　　當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時(shí)，光波的能量隨著傳播會(huì)逐漸衰減，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過(guò)測(cè)試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外，還可以用來(lái)分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當(dāng)本征吸收開(kāi)始時(shí)，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對(duì)于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數(shù)，同時(shí)導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。
 

　　Alphalas光電探測(cè)器的一種分類(lèi)：
 

　　按照物理效應(yīng)可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是利用各種光電效應(yīng)，另一類(lèi)是利用溫度變化效應(yīng);
 

　　1、光子探測(cè)器
 

　　工作原理是基于光電效應(yīng)，入射的光子和材料中的電子發(fā)生相互作用，若產(chǎn)生的光電子逸出材料表面，則稱(chēng)為外光電效應(yīng);若產(chǎn)生了被束縛在材料內(nèi)的自由電子或空穴，則稱(chēng)為內(nèi)光電效應(yīng)。
 

　　①外光電效應(yīng)：光子發(fā)射效應(yīng);
 

　?、趦?nèi)光電效應(yīng)：光電導(dǎo)效應(yīng)，光生伏*應(yīng)，光磁電效應(yīng)。
 

　　2、熱探測(cè)器
 

　　工作原理是光熱效應(yīng)，材料吸收光輻射后可以產(chǎn)生溫差電效應(yīng)、電阻率變化效應(yīng)、自發(fā)極化強(qiáng)度的變化效應(yīng)、氣體體積和壓強(qiáng)的變化效應(yīng)等等，利用這些效應(yīng)可制作各種熱探測(cè)器。常用的光熱效應(yīng)有：熱釋電效應(yīng)，溫差效應(yīng)，測(cè)輻射熱效應(yīng)。
 

　　光電探測(cè)器的第二種分類(lèi)：
 

　　按照空間分辨率也可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是成像器件，另一類(lèi)是非成像器件。
 

　　1、成像器件
 

　　利用構(gòu)成圖像傳感器，對(duì)可見(jiàn)光或者紅外光譜進(jìn)行測(cè)量，形成光學(xué)圖像以供處理。主要有CCD和CMOS，廣義上，眼睛也屬于這類(lèi)探測(cè)器。
 

　　2、非成像器件
 

　　所有除成像器件以外的光電探測(cè)器件均可稱(chēng)為非成像器件，各種熱探測(cè)器和大部分光子探測(cè)器均屬于這一類(lèi)。